Что такое полупроводник

Все материалы с двумя вышеуказанными характеристиками можно отнести к полупроводниковым материалам. Что отражает внутренние основные свойства полупроводников, так это физические эффекты и явления, вызванные различными внешними факторами, такими как свет, тепло, магнетизм, электричество и т. д., действующими на полупроводники, которые можно в совокупности назвать полупроводниковыми свойствами полупроводниковых материалов. Большинство основных материалов твердотельных электронных устройств представляют собой полупроводники. Именно различные полупроводниковые свойства этих полупроводниковых материалов придают полупроводниковым устройствам разных типов разные функции и характеристики. Основной химической характеристикой полупроводников является наличие насыщенных ковалентных связей между атомами. Типичная ковалентная связь имеет тетраэдрическую структуру решетки, поэтому типичные полупроводниковые материалы имеют структуру алмаза или цинковой обманки (ZnS). Поскольку большая часть минеральных ресурсов Земли представляет собой соединения, полупроводниковые материалы, которые были впервые использованы, представляют собой соединения. Например, для радиообнаружения давно использовался галенит (PBS), в качестве твердого выпрямителя - оксид меди (Cu2O), сфалерит (ZnS) - известный твердый люминесцентный материал, а функцию выпрямления и обнаружения - карбид кремния ( SIC) также использовался рано. Селен (SE) — первый обнаруженный и использованный полупроводниковый элемент, который когда-то был важным материалом для твердотельных выпрямителей и фотоэлементов. Открытие элемента усиления полупроводника германия (GE) открыло новую страницу в истории полупроводников, с которой электронные устройства начали реализовывать транзисторизацию. Исследования и производство полупроводников в Китае начались с первого получения германия высокой чистоты (99,999999% - 99,999999%) в 1957 году. Внедрение элементарного полупроводникового кремния (СИ) не только увеличивает типы и разновидности транзисторов, но и улучшает их характеристики. , но также открывает эпоху крупномасштабных и очень крупномасштабных интегральных схем. Открытие ⅲ–ⅴ соединений, представленных арсенидом галлия (GaAs), способствовало быстрому развитию приборов СВЧ и оптоэлектроники.