MT53E1G32D2FW-046WT: B-тип модуля DDR4 SDRAM. Он имеет общую мощность 8 ГБ и использует 288-контактный форм-фактор. Этот модуль работает со скоростью 2400 МГц и имеет задержку CAS 17 тактовых циклов
MT46H16M32LFB5-5IT: C-тип модуля синхронной динамической случайной памяти (SDRAM), производимый Micron Technology. Он имеет емкость 512 мегабайта и работает с частотой 400 мегагерц.
MT41K128M16JT-125AAT: K-тип модуля динамической случайной памяти (DRAM), обычно используемого в компьютерных системах. Он имеет емкость 2 ГБ и скорость передачи данных 1600 мегатрансфер в секунду (MT/S).
MT41K128M16JT-125AIT: K-тип синхронной динамической случайной памяти (SDRAM). Он предназначен в основном для использования в различных высокопроизводительных вычислительных приложениях и предлагает емкость 2 гигабайта.
MT47H64M8SH-25E: H-тип чипа синхронной динамической случайной памяти (SDRAM), создаваемого Micron Technology. Он имеет емкость 512 мегабайта (МБ) и максимальную тактовую скорость 200 мегагерц (МГц). Чип работает при напряжении 2,5
MT41K256M16TW-107: P-тип динамического чипа памяти случайного доступа (DRAM). Он имеет емкость 4 гигабайта (ГБ) и скорость 1600 мегагерц (МГц)
